Ge2Sb2Te5相关论文
手性结构在自然界中广泛存在,例如与人类生存息息相关的DNA分子和氨基酸。因此,探究手性结构的光学响应已经成为一个热点问题,并被......
相变存储器（Phase Change Memory,PCM）具有快速的读写能力、高存储密度以及良好的数据保持力,因此,它被认为是最有希望的下一代非易......
非线性纳米光学主要研究纳米结构或纳米材料的非线性光学效应,如双光子吸收、二次谐波（SHG）、三次谐波（THG）。特别是THG由于其独特的性......
硫系相变材料(PCM)在适当的热/光/电刺激的作用下能够在非晶相和结晶相之间快速且可逆的转化。它具有光学对比度大、非易失性、响......
相变材料Ge2Sb2Te5由于其独特的光学和电学性质,在光学记录、数据存储等方面具有广泛的应用.在航空航天、安检扫描等一些特定环境......
随着计算机硬件和软件技术的发展以及计算理论的完善,计算机对材料结构和性质的模拟已经逐渐脱离对物化实验的依附,成为一门独立的......
从相变存储器(phase change random access memory,PCRAM)的基本结构和工作原理出发,首先介绍了PCRAM的技术优势、面临的技术挑战......
采用热压法制备Ge2Sb2Te5相变存储材料用靶材,研究了制备工艺对靶材微观结构与致密度的影响。结果表明:随保温时间的延长,靶材致密......
Ge2 Sb2 Te5相变光盘的反射率对比度和载噪比受初始化条件影响很大。研究表明 ,反射率对比度在转速比较低时随功率增加而增大 ,而......
通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了G......
利用磁控溅射方法制备了Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,......
利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对 Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学常数的影响 .当初始化仪转速固定时 ,随激光功率的增加 ,折射率基本......
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法研究了稳态六方petrov原子序列结构Ge2Sb2Te5的结构、电子和光学性质.计算所得的平衡态晶......
利用密度泛函理论对稳态六方Ge2Sb2Te5进行第一性原理计算,得到了其晶格常数、能带结构、电子态密度等相关性质.详细讨论了其成键......
The optical absorption properties of phase-change optical recording thin films subjected to various initialization condi......
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了......
中科院上海微系统与信息技术研究所经过多年努力，发现了自主SiSbTe体系相变材料，验证了SiSbTe具有低于传统Ge2Sb2Te5的功耗、更高的......
利用射频磁控溅射法在室温下沉积了GST相变薄膜,利用XRD、AFM对其结构进行表征,原位XRD及DSC测试确定其结晶温度.（原位）XRD测试表明,......
采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明：室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温～375℃......
研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,......
从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化......
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2T......
系统地介绍了硫系化合物随机存储器(C-RAM)的原理、相关材料、研究现状、特点及今后的发展趋势以及中科院上海微系统与信息技术研......
相变存储器（Phase Change Memory,PCM）的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge2Sb2Te5（GST）的PCM单元,不同的SET条件下......
首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压......
相变存储器由于操作电压低,读取速度快,制造工艺简单且与成熟CMOS工艺兼容,被认为最有可能替代Flash成为主流非易失性存储器。相变......
随着便携式电子产品的快速发展,市场对不挥发存储器的需求急剧增长。作为目前主流的不挥发存储技术,闪存在商业上取得了巨大的成功......
从2001年intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文到2005年samsung在VLSI发表256M的PCRAM的实验数据，相变存储器的发展迅猛。Intel甚......
相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的......
基于密度泛函理论，采用CASTEP软件对Ge2 Sb2 Te5亚稳态晶体进行结构优化，并比较了局部密度泛函LDA CA-PZ和广义梯度近似GGA PBE两种......
